Производитель Номер продукта:
TQM130NB06CR RLG
Product Overview
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Номер детали:
TQM130NB06CR RLG-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
Подробное описание:
N-Channel 60 V 10A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-PDFNU (5x6)
Инвентаризация:
3963 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12945294
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TQM130NB06CR RLG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta), 50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2234 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
8-PDFNU (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
TQM130
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
1801-TQM130NB06CRRLGTR
1801-TQM130NB06CRTR-DG
TQM130NB06CR
1801-TQM130NB06CRRLGDKR
1801-TQM130NB06CRRLGCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TQM025NB04CR RLG
MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU
STL50NH3LL
MOSFET N-CH 30V 27A POWERFLAT
STP7NM60N
MOSFET N-CH 600V 5A TO220
